肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写为SBD)的缩写。SBD并非采用P型半导体与N型半导体接触形成PN结的原理，而是采用金属与半导体接触形成的金属-半导体结的原理。所以SBD又称金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管。

二、肖特基二极管结构。

肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，因此其正向导通和正向压降均低于PN结二极管(约0.2V)。

由于SBD的反向恢复电荷非常小，开关速度非常快，开关损耗也非常小，特别适合高频应用。

三、肖特基二极管的缺点。

肖特基二极管和普通二极管都是单向导电，可以用于整流电路。肖特基二极管最大的缺点是反向偏压低，反向漏电流大。比如以硅和金属为材料的肖特基二极管，反向偏压额定耐压最高只有50V，反向漏电流值为正温度特性，随着温度的升高容易急剧增大。在实际设计中，应注意其热失控的隐患。

四、肖特基二极管与普通二极管的区别。

(1)正压降:普通二极管压降大(0.7~1.7V)，肖特基二极管小(0.15~0.45V)。

(2)耐压值:普通二极管的耐压可以做得更高，但其恢复速度较低，只能用于低频整流。高频时会因无法快速恢复而反向漏电，导致严重发热烧毁。肖特基二极管的耐压值较低，但恢复速度快，可用于高频场合。因此，肖特基二极管通常用于开关电源的整流输出。

(3)反向恢复时间:肖特基二极管比普通二极管快得多。

(4)反漏电流:肖特基二极管反漏电流大。